Новые чипы ST-MRAM в 500 раз быстрее SSD
В плане производительности, память ST-MRAM выглядит весьма впечатляюще: 1,6 миллиарда IOPS, до 3,2GB/s пропускной способности и задержки, измеряемые в наносекундах. Для сравнения, 512GB OCZ Vertex 4 предлагает лишь 120000 IOPS, примерно 550MB/s пропускной способности и задержки в микросекундах. Стоит, впрочем, отметить и некоторые недостатки ST-MRAM. Несмотря на обещания, Everspin не считает новую память заменителем SSD. Вместо этого, компания считает ее дополнением к SSD. Скорее всего, это связано со стоимостью новой памяти. По данным ComputerWorld, чипы ST-MRAM будут стоить примерно в 50 раз дороже, чем аналогичные чипы флэш-памяти. Но так с новыми технологиями зачастую и бывает. Так, раньше SSD-накопители тоже стояли тысячи долларов. Но вместо 14GB SSD-накопителя за $42000 мы теперь можем купить 128GB модель за $60-$70. Произойдет ли то же самое и с MRAM? Время покажет. Но цена является не единственным минусом ST-MRAM. Новые чипы обладают еще и повышенным энергопотреблением. По данным Everspin, если 64GB чипы NAND-флэш, какие можно найти в SSD-накопителях, обычно потребляют лишь 80mW, то 1GB чип ST-MRAM потребляет уже 400mW! Поэтому, до прихода на обычный рынок новым чипам, очевидно, еще улучшаться и улучшаться.
