Специалистами Toshiba разработано новое поколение техпроцесса SOI, оптимизированного для малошумящих радиочастотных усилителей смартфонов
Компания Toshiba сообщила о разработке технологического процесса полупроводникового производства TaRF10. Это очередное поколение фирменного техпроцесса TarfSOI (Toshiba advanced RF SOI), оптимизированного для изготовления малошумящих радиочастотных усилителей, используемых в смартфонах. Повышение скорости передачи данных в мобильных сетях привело к увеличению числа коммутаторов и фильтров в радиочастотных цепях смартфонов. В результате увеличились потери сигнала между антенной и приемником, повышая потребность в усилителях, характеризующихся низким уровнем шумов и способных скомпенсировать потери и восстановить сигнал. Прототип усилителя, изготовленный специалистами Toshiba с применением техпроцесса TaRF10, по словам производителя, показал выдающиеся параметры: шум 0,72 дБ и усиление 16,9 дБ на частоте 1,8 ГГц. Обычно современные усилители такого рода построены на гетеропереходных биполярных транзисторах с кремний-германиевой базой (SiGe:C), поэтому их сложно интегрировать на одном кристалле с коммутаторами, изготавливаемыми по другой технологии. Техпроцесс TaRF10 позволяет интегрировать усилитель, управляющие цепи и радиочастотные коммутаторы, поскольку он очень близок к техпроцессам TaRF8 и TaRF9, в силу обеспечиваемых ими меньших потерь сигнала используемым для изготовления коммутаторов. Именно такие интегрированные решения планирует выпускать Toshiba с использованием TaRF10. Теги: Toshiba Комментировать
