Cadence и Micron создали модуль памяти DDR5-4400
Компании Cadence и Micron совместно создали первый в мире работоспособный модуль памяти DDR5-4400. В прототипе используются компоненты DRAM плотностью 8 Гбит производства Micron, контроллер памяти DDR5 и микросхемы интерфейса физического уровня, разработанные Cadence и изготовленные TSMC по нормам 7 нм. Новые микросхемы DRAM по эффективной частоте примерно на 37,5% превосходят самую быструю память DDR4, доступную на рынке. При этом источник уточняет, что разработчики делают упор не на скорости, а на увеличении объема за счет использования DDR5. Предполагается, что стандарт DDR5 упростит производство чипов плотностью 16 Гбит и многослойную компоновку. Переход к более тонким нормам техпроцесса необходим для снижения задержек, которые становятся слишком большими, если изготавливать кристаллы плотностью 16 Гбит по нормам 1X нм. Даже в случае описываемого прототипа значение CAS равно 42. Напряжение питания 1,1 В тоже является зримым преимуществом DDR5 над DDR4. В Cadence ожидают, что системы с памятью DDR5 появятся на рынке в будущем году. Скорее всего, это будут серверы. За модулями DDR5-4400 последуют модули DDR5-6400, но до начала действительно широкого внедрения DDR5 пройдет еще два года. Уточним, что стандарт DDR5 пока даже не принят. Его утверждение JEDEC ожидается этим летом. Между тем, в планах Cadence — разработка IP-ядер для памяти LPDDR5 и HBM. Комментировать
