У Everspin готовы первые в отрасли микросхемы памяти ST-MRAM плотностью 256 Мбит; они изготовлены на мощностях Globalfoundries
Компания Everspin Technologies, в 2012 году выпустившая первые микросхемы памяти ST-MRAM для высокопроизводительных систем хранения , анонсировала начало поставок первых в отрасли микросхем ST-MRAM плотностью 256 Мбит. Магниторезистивная память ST-MRAM (Spin-Torque Magnetoresistive RAM) характеризуется высоким быстродействием и долговечностью, а также способностью хранить информацию в отсутствие питания. По скорости записи ST-MRAM превосходит флэш-память NAND более чем [...]