Компания Samsung Electronics представила 64-слойную флэш-память V-NAND и SSD рекордного объема
Компания Samsung Electronics представила на мероприятии Flash Memory Summit 2016 новейшие решения на базе флэш-памяти. В частности, показаны микросхемы флэш-памяти с объемной компоновкой V-NAND четвертого поколения и накопители большого объема. Новая флэш-память V-NAND включает 64 слоя — на 30% больше по сравнению с ее предшественницей. Каждая ячейка способна хранить три бита информации. Плотность кристалла составляет [...]